IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.78 EUR |
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Technische Details IPD25CN10NGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD25CN10NGATMA1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 2.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPD25CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 13984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD25CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD25CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD25CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 707 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD25CN10NGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IPD25CN10NGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD25CN10NGATMA1 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |