IPD25DP06LMATMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.187ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details IPD25DP06LMATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 28W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 28W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.187ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm.
Weitere Produktangebote IPD25DP06LMATMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 4.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD25DP06LMATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 2377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD25DP06LMATMA1 | INFINEON |
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auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD25DP06LMATMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| 100+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.99 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.73 EUR |
| IPD25DP06LMATMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: OptiMOS
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm
auf Bestellung 2216 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 4.25 EUR |
| 101+ | 2.31 EUR |
| 145+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |


