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Technische Details IPD25DP06LMATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 28W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD25DP06LMATMA1
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IPD25DP06LMATMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD25DP06LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.187ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD25DP06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD25DP06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V |
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IPD25DP06LMATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 30 V |
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