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IPD30N03S4L09ATMA1

Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t
Produktcode: 202239
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
262+0.67 EUR
266+0.64 EUR
270+0.62 EUR
274+0.6 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.68 EUR
262+0.64 EUR
266+0.61 EUR
270+0.57 EUR
274+0.55 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.48 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
233+0.74 EUR
238+0.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 220 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
155+1.5 EUR
228+0.94 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+2.14 EUR
155+1.5 EUR
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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266+0.64 EUR
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274+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 262 Stücke
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.68 EUR
262+0.64 EUR
266+0.61 EUR
270+0.57 EUR
274+0.55 EUR
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
220+0.8 EUR
233+0.74 EUR
238+0.7 EUR
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20684 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
10+2.14 EUR
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IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPD30N03S4L09ATMA1 Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t
IPD30N03S4L09ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
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117+2.14 EUR
155+1.5 EUR
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