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IPD30N03S4L09ATMA1

Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t
Produktcode: 202239
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.41 EUR
12500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
262+0.55 EUR
266+0.52 EUR
270+0.5 EUR
274+0.47 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 262
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
258+0.56 EUR
262+0.53 EUR
266+0.51 EUR
270+0.48 EUR
274+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 258
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
220+0.66 EUR
233+0.6 EUR
238+0.57 EUR
500+0.53 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 220
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.8 EUR
16+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD30N03S4L_09-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426db703ad9&fileId=db3a30431ddc9372011e2b2ed46c4d6b&ack=t Description: INFINEON - IPD30N03S4L09ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd30n03s4l-09_ds_1_1.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD30N03S4L_09_DS_v01_01_en-3360285.pdf MOSFET MOSFET_(20V 40V)
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IPD30N03S4L09ATMA1 IPD30N03S4L09ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N03S4L09.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 30A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
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EL817S(C)
Produktcode: 122670
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el817sc-datasheet.pdf
EL817S(C)
Hersteller: Everlight
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: SMD-4
Typ: Транзистор
U-isol, kV: 5 kV
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50 mA
U ausg, V: 35 V
Ton/Toff, µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -55…+110°C
auf Bestellung 1192 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Neodym Magnet, Quader Block 50 x 25 x 5 mm (N38), Ni+Cu+Ni (Nickel)
Produktcode: 88631
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description magnetickhsduidf.pdf
Neodym Magnet, Quader Block 50 x 25 x 5 mm (N38), Ni+Cu+Ni (Nickel)
+1
Hersteller: HHII
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Magnete
Material: N38, NdFeB, Ni+Cu+Ni (Nickel)
Form und Abmessungen: Block (Parallelepiped), 50 х 25 х 5 mm
Тип: Неодимовий
Форма: Блок (паралелепіпед)
Зусилля на відрив (прибл.): 17 kg
8505 11 00 00
verfügbar: 30 St.
13 St. - stock Köln
17 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+5 EUR
10+4.48 EUR
100+3.8 EUR
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100uF 10V EMR 5x7mm (EMR101M10B-Hitano)
Produktcode: 2698
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
EMR_080514.pdf
100uF 10V EMR 5x7mm (EMR101M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EMR-Super-Miniatur
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x7mm
Lebensdauer: 5х7mm
№ 8: 1000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 678 St.
495 St. - stock Köln
183 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 St.
10000 St. - erwartet 15.06.2026
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.018 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH