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IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD30N03S4L_14-DS-v02_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b426f9b13b2c&ack=t
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
5000+0.46 EUR
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Technische Details IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD30N03S4L14ATMA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.98 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21512 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1172+0.56 EUR
10000+0.49 EUR
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
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2500+0.56 EUR
20000+0.5 EUR
30000+0.46 EUR
40000+0.43 EUR
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies ipd30n03s4l-14_ds_2_0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 287500 Stücke:
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2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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132+1.32 EUR
150+1.14 EUR
171+0.99 EUR
200+0.92 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13064 Stücke:
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11+1.96 EUR
17+1.24 EUR
100+0.81 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39876 Stücke:
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127+1.98 EUR
174+1.34 EUR
255+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 127 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 30A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39876 Stücke:
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127+1.98 EUR
174+1.34 EUR
255+0.84 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
5000+0.48 EUR
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IPD30N03S4L14ATMA1 IPD30N03S4L14ATMA1 Infineon Technologies infineonipd30n03s4l14dsv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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1172+0.56 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1348 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 287500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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251+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
132+1.32 EUR
150+1.14 EUR
171+0.99 EUR
200+0.92 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 13064 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.96 EUR
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100+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPD30N03S4L14ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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174+1.34 EUR
255+0.84 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD30N03S4L14ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0112 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 39876 Stücke:
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174+1.34 EUR
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Hersteller: Infineon
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