IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.91 EUR |
| 5000+ | 0.87 EUR |
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Technische Details IPD30N10S3L34ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD30N10S3L34ATMA1 nach Preis ab 0.90 EUR bis 2.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IPD30N10S3L34ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T |
auf Bestellung 4037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD30N10S3L34ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 29µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1976 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 32483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD30N10S3L34ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD30N10S3L34ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0258 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0258ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12786 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD30N10S3L34ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD30N10S3L34ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD30N10S3L34ATMA1 SMD N channel transistors |
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