IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD320N20N3GATMA1 nach Preis ab 1.69 EUR bis 4.86 EUR
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
auf Bestellung 9133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD320N20N3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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