IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.44 EUR |
| 5000+ | 0.39 EUR |
| 7500+ | 0.37 EUR |
| 12500+ | 0.34 EUR |
| 17500+ | 0.32 EUR |
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Technische Details IPD50N04S410ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPD50N04S410ATMA1 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 18741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 2368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S410ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 40V; 50A; 41W; DPAK; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 41W Case: DPAK Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Electrical mounting: SMT Application: automotive industry Gate charge: 18.2nC |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IPD50N04S410ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 41W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 41W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate charge: 18.2nC |
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