IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.41 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| 7500+ | 0.35 EUR |
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Technische Details IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD50N04S4L08ATMA1 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 42615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 3516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 22753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 22753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N04S4L08ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS® -T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 49A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 46W Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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