IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.41 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| 7500+ | 0.36 EUR |
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Technische Details IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm.
Weitere Produktangebote IPD50N04S4L08ATMA1 nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 9205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 6486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 42615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 12175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
auf Bestellung 3516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
auf Bestellung 22148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IPD50N04S4L08ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
auf Bestellung 22148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.41 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.44 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.46 EUR |
| 5000+ | 0.43 EUR |
| 7500+ | 0.41 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 932+ | 0.59 EUR |
| 1010+ | 0.54 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 932+ | 0.59 EUR |
| 1010+ | 0.54 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 42615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 932+ | 0.59 EUR |
| 1010+ | 0.54 EUR |
| 10000+ | 0.47 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 103+ | 1.42 EUR |
| 144+ | 1 EUR |
| 210+ | 0.67 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.85 EUR |
| 16+ | 1.16 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.59 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 3516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.78 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| 2500+ | 0.6 EUR |
| 5000+ | 0.54 EUR |
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 22148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
auf Bestellung 22148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)