IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.57 EUR |
| 5000+ | 0.55 EUR |
| 7500+ | 0.52 EUR |
| 12500+ | 0.5 EUR |
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Technische Details IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IPD50N06S4L12ATMA2 nach Preis ab 0.54 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 34577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 5212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 |
auf Bestellung 1346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 23753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET |
auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.57 EUR |
| 7500+ | 0.55 EUR |
| 12500+ | 0.54 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.67 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.67 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.81 EUR |
| 5000+ | 0.75 EUR |
| 7500+ | 0.73 EUR |
| 12500+ | 0.69 EUR |
| 17500+ | 0.67 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 729+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 729+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 34577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 729+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 10000+ | 0.71 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 729+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
auf Bestellung 1346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 55+ | 1.55 EUR |
| 82+ | 1.05 EUR |
| 91+ | 0.94 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.73 EUR |
| 156+ | 1.09 EUR |
| 200+ | 1.07 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 79+ | 2.23 EUR |
| 114+ | 1.48 EUR |
| 163+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 2.25 EUR |
| 114+ | 1.51 EUR |
| 162+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.01 EUR |
| 12+ | 1.9 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 500+ | 1 EUR |
| 1000+ | 0.9 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 76+ | 3.32 EUR |
| 119+ | 1.95 EUR |
| 179+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD50N06S4L12ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.32 EUR |
| 119+ | 1.95 EUR |
| 179+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET
MOSFETs MOSFET
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.64 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1 EUR |
| 2500+ | 0.84 EUR |
| 5000+ | 0.8 EUR |