IPD50N10S3L16ATMA2 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.53 EUR |
| 10+ | 3.56 EUR |
| 100+ | 2.43 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.83 EUR |
| 2500+ | 1.78 EUR |
| 5000+ | 1.73 EUR |
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Technische Details IPD50N10S3L16ATMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 100W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Weitere Produktangebote IPD50N10S3L16ATMA2 nach Preis ab 1.99 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IPD50N10S3L16ATMA2 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 100W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
auf Bestellung 2381 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50N10S3L16ATMA2 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 6.97 EUR |
| 56+ | 4.2 EUR |
| 100+ | 2.65 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |