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IPD50P04P413ATMA2

IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies

Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.87 EUR
5000+0.81 EUR
7500+0.77 EUR
12500+0.74 EUR
17500+0.73 EUR
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Technische Details IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 58W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-P2, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm.

Weitere Produktangebote IPD50P04P413ATMA2 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 44828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
10000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies infineonipd50p04p413datasheetv0103en.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
624+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 624 Stücke
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 18239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.02 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 Infineon Technologies Infineon_IPD50P04P4_13_DataSheet_v01_03_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.96 EUR
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
auf Bestellung 5778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
5000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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IPD50P04P413ATMA2 IPD50P04P413ATMA2 INFINEON Infineon-IPD50P04P4-13-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f781f908b2da3 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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auf Bestellung 5778 Stücke:
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100+3.82 EUR
103+2.26 EUR
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Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET P-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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1000+0.95 EUR
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Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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10+2.26 EUR
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IPD50P04P413ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
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AnzahlPrivatkunde
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IPD50P04P413ATMA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 9200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 58W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 5778 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.82 EUR
103+2.26 EUR
155+1.38 EUR
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