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IPD50R2K0CEAUMA1

IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
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Technische Details IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPD50R2K0CEAUMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R2K0CE_DS_v02_03_EN-1731730.pdf MOSFET CONSUMER
auf Bestellung 5006 Stücke:
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10+0.88 EUR
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10000+0.32 EUR
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IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R2K0CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed08fda5f0f0f Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
auf Bestellung 24537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.34 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002262958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
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139+1.81 EUR
200+1.17 EUR
323+0.67 EUR
500+0.52 EUR
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IPD50R2K0CEAUMA1 IPD50R2K0CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002262958-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
200+1.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 139 Stücke
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auf Bestellung 60 Stücke:
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auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
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IPD50R2K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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200+1.17 EUR
323+0.67 EUR
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1000+0.36 EUR
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IPD50R2K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4400 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
139+1.81 EUR
200+1.17 EUR
323+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.36 EUR
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IPD50R2K0CEAUMA1 1800397784141162ipu50r2k0ce2b2.1.pdffileiddb3a304339dcf4b10139e81130a92d32folder..pdf
IPD50R2K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60 Stücke:
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 7500 Stücke:
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