IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2500+ | 0.28 EUR |
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Technische Details IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPD50R2K0CEAUMA1 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.90 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 5006 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R2K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 550V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IPD50R2K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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