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IPD50R3K0CEAUMA1

IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
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2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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231+0.75 EUR
325+0.52 EUR
329+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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auf Bestellung 1500 Stücke:
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195+0.89 EUR
229+0.74 EUR
231+0.7 EUR
325+0.48 EUR
329+0.45 EUR
500+0.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4 Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 29571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON 2255685.pdf Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
246+0.94 EUR
382+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 INFINEON 2255685.pdf Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.55 EUR
246+0.94 EUR
382+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.64 EUR
10+1.17 EUR
100+0.73 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1395 Stücke:
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IPD50R3K0CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
7500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 12500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
5000+0.25 EUR
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IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
5000+0.24 EUR
7500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.29 EUR
5000+0.27 EUR
12500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
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Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
590+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.3 EUR
5000+0.26 EUR
7500+0.25 EUR
12500+0.24 EUR
17500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+0.75 EUR
325+0.52 EUR
329+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+0.89 EUR
229+0.74 EUR
231+0.7 EUR
325+0.48 EUR
329+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R3K0CEAUMA1 IPx50R3K0CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339dcf4b10139e7e9ff592ce4
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
auf Bestellung 29571 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.26 EUR
27+0.79 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 2255685.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
246+0.94 EUR
382+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 2255685.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
246+0.94 EUR
382+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon_IPD50R3K0CE_DS_v02_03_EN.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.64 EUR
10+1.17 EUR
100+0.73 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.42 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R3K0CEAUMA1 1800446507269397dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a304339dcf4b.pdf
IPD50R3K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH