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IPD50R500CEAUMA1

IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
254+0.56 EUR
288+0.46 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 254
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
252+0.59 EUR
254+0.54 EUR
288+0.44 EUR
500+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 252
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies dgdl?fileId=db3a3043382e83730138514ff7881004 Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
auf Bestellung 16506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
20+0.89 EUR
100+0.70 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 20
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD50R500CE_DS_v02_02_EN-1731773.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3836 Stücke:
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Anzahl Preis
4+0.92 EUR
10+0.89 EUR
100+0.72 EUR
250+0.71 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : INFINEON 2255646.pdf Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4968196043815011dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a3043382e837.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD50R500CEAUMA1 IPD50R500CEAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAD4E4CB169820&compId=IPD50R500CE.pdf?ci_sign=1c280a951ac6d41a472b96add4a573d6c135a84d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; Idm: 24A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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