Technische Details IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm.
Weitere Produktangebote IPD50R500CEAUMA1 nach Preis ab 0.39 EUR bis 3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V |
auf Bestellung 20190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 57W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD50R500CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 254+ | 0.68 EUR |
| 288+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 252+ | 0.69 EUR |
| 254+ | 0.64 EUR |
| 288+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.7 EUR |
| 5000+ | 0.64 EUR |
| 7500+ | 0.62 EUR |
| 12500+ | 0.6 EUR |
| 17500+ | 0.57 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
auf Bestellung 20190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.64 EUR |
| 13+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.11 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.87 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2500+ | 0.64 EUR |
| 5000+ | 0.6 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 84+ | 3 EUR |
| 139+ | 1.68 EUR |
| 201+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| IPD50R500CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPD50R500CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






