Weitere Produktangebote IPD50R520CP
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPD50R520CP | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET N-Ch 550V 7.1A DPAK-2 CoolMOS CP |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R520CP | Hersteller : INFINEON |
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auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| IPD50R520CP | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD50R520CP | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |