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IPD50R650CEATMA1

IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN-358814.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
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Technische Details IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies

MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50R650CEATMA1 Infineon Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1 MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
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IPD50R650CEATMA1 IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R650CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d41341a202a1 Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
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Hersteller: Infineon
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
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Description: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
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