Technische Details IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт.
Weitere Produktangebote IPD50R650CEATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPD50R650CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD50R650CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD50R650CEATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD50R650CEATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
Produkt ist nicht verfügbar |