Technische Details IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори.
Weitere Produktangebote IPD50R650CEATMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IPD50R650CEATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 |
auf Bestellung 2406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPD50R650CEATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2 |
auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IPD50R650CEATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| IPD50R650CEATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
MOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)