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IPD50R800CEAUMA1

IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies

1322infineon-ipd50r800ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies 1322infineon-ipd50r800ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 5199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
17+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
192+1.21 EUR
278+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD50R800CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 1465 Stücke:
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2+2.18 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 1322infineon-ipd50r800ce-ds-v02_03-en.pdffileiddb3a304339d29c450139d4.pdf
IPD50R800CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 Infineon-IPD50R800CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=db3a304339d29c450139d424706c02c2
IPD50R800CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IPD50R800CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
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auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD50R800CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 5199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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17+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 INFN-S-A0002220638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50R800CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
163+1.54 EUR
192+1.21 EUR
278+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
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IPD50R800CEAUMA1 Infineon_IPD50R800CE_DS_v02_03_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 1465 Stücke:
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10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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