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IPD530N15N3GATMA1

Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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500+1.02 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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82+2.14 EUR
100+1.68 EUR
101+1.59 EUR
128+1.21 EUR
250+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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86+2.93 EUR
124+1.88 EUR
152+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.24 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 INFINEON INFNS30357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+3.3 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD530N15N3_DS_v02_06_en.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
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1+3.62 EUR
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
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IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1 Infineon Technologies 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD530N15N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD530N15N3GATMA1
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Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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IPD530N15N3GATMA1 2924ipd530n15n3_rev2.5.pdffileiddb3a30432662379201266a1f6dd2227cfolde.pdf
IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
121+1.45 EUR
122+1.42 EUR
152+1.11 EUR
200+1.07 EUR
500+1.05 EUR
1000+1.02 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2426 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+1.74 EUR
101+1.7 EUR
128+1.32 EUR
250+1.27 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+2.14 EUR
100+1.68 EUR
101+1.59 EUR
128+1.21 EUR
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500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2417 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
124+1.88 EUR
152+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2687 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+3.3 EUR
112+2.07 EUR
143+1.51 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 6449 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+3.62 EUR
10+2.2 EUR
100+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
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IPD530N15N3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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