IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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| 2500+ | 1.94 EUR |
| 7500+ | 1.83 EUR |
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Technische Details IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.
Weitere Produktangebote IPD600N25N3GATMA1 nach Preis ab 1.98 EUR bis 7.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 18375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V |
auf Bestellung 21561 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET >150 - 400V |
auf Bestellung 9014 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD600N25N3GATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm |
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| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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|---|---|
| 2500+ | 2.02 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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|---|---|
| 2500+ | 2.03 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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| 2500+ | 2.49 EUR |
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| 2500+ | 2.9 EUR |
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 45+ | 4 EUR |
| 52+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 2000+ | 2.58 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 4.88 EUR |
| 50+ | 3.89 EUR |
| 100+ | 3.57 EUR |
| 500+ | 3.08 EUR |
| 1000+ | 2.84 EUR |
| 2000+ | 2.71 EUR |
| 5000+ | 2.55 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.88 EUR |
| 47+ | 3.77 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 5.88 EUR |
| 47+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 2.58 EUR |
| 500+ | 2.14 EUR |
| 1000+ | 1.98 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 21561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.28 EUR |
| 10+ | 4.09 EUR |
| 50+ | 3.14 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.3 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
MOSFETs IFX FET >150 - 400V
auf Bestellung 9014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.47 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.39 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 2500+ | 2.07 EUR |
| IPD600N25N3GATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4576 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.5 EUR |
| 67+ | 3.47 EUR |
| 100+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.36 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |






