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IPD600N25N3GATMA1

IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies


ipd600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012496b03.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD600N25N3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.051 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012496b03.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012496b03.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012496b03.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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52+2.78 EUR
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies ipd600n25n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043243b5f17012496b03.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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37+4.05 EUR
50+3.16 EUR
100+2.85 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.18 EUR
2000+2.03 EUR
5000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD600N25N3G_-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043243b5f17012496b03c67195b Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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4+5.17 EUR
10+3.51 EUR
100+2.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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IPD600N25N3GATMA1 IPD600N25N3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD600N25N3G__DS_v02_03_en-1227253.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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