Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS-T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.

Weitere Produktangebote IPD60N10S412ATMA1 nach Preis ab 1.08 EUR bis 4.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.46 EUR
120+1.4 EUR
200+1.37 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 55088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
106+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.82 EUR
72+2.36 EUR
106+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf MOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.4 EUR
100+1.73 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 INFINEON INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
93+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.46 EUR
120+1.4 EUR
200+1.37 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 55088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
405+1.61 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.29 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.44 EUR
106+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 infineon-ipd60n10s4-12-datasheet-v01_10-en.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+3.82 EUR
72+2.36 EUR
106+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 Infineon-IPD60N10S4-12-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88704c7a018870c994de0a3a
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 Infineon_IPD60N10S4_12_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.19 EUR
10+2.4 EUR
100+1.73 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1 INFN-S-A0000250463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S412ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.7 EUR
93+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH