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IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.14 EUR
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Technische Details IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
554+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
554+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
142+1.21 EUR
200+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
112+1.5 EUR
114+1.42 EUR
116+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
112+1.54 EUR
114+1.48 EUR
116+1.42 EUR
250+1.38 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
141+1.65 EUR
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500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
110+2.11 EUR
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500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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45+3.94 EUR
51+3.4 EUR
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500+2 EUR
1000+1.98 EUR
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26847 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
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IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
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40+4.37 EUR
50+3.92 EUR
100+3.12 EUR
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1000+2.31 EUR
2000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
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554+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
554+1.18 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.34 EUR
142+1.21 EUR
200+1.17 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.13 EUR
2000+1.11 EUR
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.58 EUR
112+1.5 EUR
114+1.42 EUR
116+1.34 EUR
250+1.27 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.58 EUR
112+1.54 EUR
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1000+1.29 EUR
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1 INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
141+1.65 EUR
166+1.3 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
110+2.11 EUR
132+1.63 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
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Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26847 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
auf Bestellung 800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.13 EUR
10+2.51 EUR
100+1.65 EUR
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IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
40+4.37 EUR
50+3.92 EUR
100+3.12 EUR
200+2.84 EUR
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2000+2.11 EUR
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Hersteller: Infineon
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