Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60N10S4L12ATMA1
IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
554+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 554 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IPD60N10S4L12ATMA1 nach Preis ab 1.09 EUR bis 4.47 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
554+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.38 EUR
142+1.24 EUR
200+1.2 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.62 EUR
112+1.54 EUR
114+1.45 EUR
116+1.38 EUR
250+1.3 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.15 EUR
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.62 EUR
112+1.57 EUR
114+1.51 EUR
116+1.45 EUR
250+1.4 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
141+1.65 EUR
166+1.3 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
110+2.11 EUR
132+1.63 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+4.03 EUR
51+3.49 EUR
53+3.26 EUR
61+2.76 EUR
100+2.56 EUR
250+2.3 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.47 EUR
50+4 EUR
100+3.19 EUR
200+2.9 EUR
1000+2.36 EUR
2000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
554+1.2 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.38 EUR
142+1.24 EUR
200+1.2 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.13 EUR
2500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.62 EUR
112+1.54 EUR
114+1.45 EUR
116+1.38 EUR
250+1.3 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.15 EUR
3000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
111+1.62 EUR
112+1.57 EUR
114+1.51 EUR
116+1.45 EUR
250+1.4 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.31 EUR
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
96+2.62 EUR
141+1.65 EUR
166+1.3 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 INFNS28006-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.65 EUR
110+2.11 EUR
132+1.63 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+4.03 EUR
51+3.49 EUR
53+3.26 EUR
61+2.76 EUR
100+2.56 EUR
250+2.3 EUR
500+2.05 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1 ipd60n10s4l-12_ds_1_0.pdf
IPD60N10S4L12ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
40+4.47 EUR
50+4 EUR
100+3.19 EUR
200+2.9 EUR
1000+2.36 EUR
2000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH