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IPD60R180CM8XTMA1

IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A T/R
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Technische Details IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPD60R180CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V.

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IPD60R180CM8XTMA1 IPD60R180CM8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd60r180cm8-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A T/R
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IPD60R180CM8XTMA1 IPD60R180CM8XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8cd870c30405 Description: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
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FET Type: N-Channel
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Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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