IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 125+ | 1.16 EUR |
| 130+ | 1.08 EUR |
| 133+ | 1.01 EUR |
| 250+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.87 EUR |
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Technische Details IPD60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CM8 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD60R180CM8XTMA1 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.08 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_NEW |
auf Bestellung 1447 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Power Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R180CM8XTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IPD60R180CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V |
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