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IPD60R180P7SAUMA1


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Produktcode: 201989
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.65 EUR
127+1.36 EUR
140+1.18 EUR
143+1.12 EUR
250+1.05 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon_ipd60r180p7s_datasheet_en.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.15 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
2500+1.14 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
81+2.88 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-cn.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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153+1.17 EUR
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Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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153+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1517 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.65 EUR
127+1.36 EUR
140+1.18 EUR
143+1.12 EUR
250+1.05 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 infineon-ipd60r180p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
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Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1569 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
108+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.88 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.19 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 infineon_ipd60r180p7s_datasheet_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.96 EUR
10+2.15 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
2500+1.14 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 2718773.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 511 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
49+5.2 EUR
81+2.88 EUR
102+2.11 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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