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IPD60R180P7SAUMA1

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Produktcode: 201989
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.76 EUR
5000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2554 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 153
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
153+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 153
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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153+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 153
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.97 EUR
5000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.98 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.22 EUR
120+1.16 EUR
127+1.06 EUR
250+0.97 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
98+1.49 EUR
119+1.18 EUR
120+1.12 EUR
127+1.02 EUR
250+0.93 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 98
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 9059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.1 EUR
10+1.96 EUR
100+1.32 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 12367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.12 EUR
10+2.01 EUR
100+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.97 EUR
2500+0.87 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3189 Stücke:
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3189 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R180P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 72W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
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