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IPD60R180P7SAUMA1

Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
Produktcode: 201989
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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153+1.14 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2017 Stücke:
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55+3.19 EUR
81+2.14 EUR
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500+1.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 INFINEON 2718773.pdf Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
151+1.12 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R180P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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1000+1.32 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.12 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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153+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.13 EUR
112+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+3.19 EUR
81+2.14 EUR
113+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.09 EUR
75+3.13 EUR
112+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
153+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1 infineonipd60r180p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
151+1.12 EUR
250+1.08 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+1.63 EUR
126+1.33 EUR
127+1.27 EUR
151+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+3.19 EUR
81+2.09 EUR
113+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 11664 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.49 EUR
10+2.75 EUR
100+1.93 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.12 EUR
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IPD60R180P7SAUMA1 Infineon-IPD60R180P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55249fca0f9c
IPD60R180P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
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