IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD60R1K0CEAUMA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.56 EUR
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Preis | ||||||||||||||||||||
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V |
auf Bestellung 7317 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 15440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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