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IPD60R1K0CEAUMA1

IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies

888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 61W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.36 EUR
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.42 EUR
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1445+0.45 EUR
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
171+0.99 EUR
251+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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117+1.5 EUR
171+1 EUR
251+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
148+1.17 EUR
213+0.79 EUR
223+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94 Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON 2354541.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 INFINEON 2354541.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R1K0CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2+2.31 EUR
10+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1445+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1445 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.5 EUR
171+0.99 EUR
251+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
117+1.5 EUR
171+1 EUR
251+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1 888299782089354dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
104+1.68 EUR
148+1.17 EUR
213+0.79 EUR
223+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.52 EUR
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10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K0CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7bf4c481e94
IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
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IPD60R1K0CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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AnzahlPrivatkunde
2+2.31 EUR
10+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
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