Technische Details IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 26W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm.
Weitere Produktangebote IPD60R1K0PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.4 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm |
auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 26W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 26W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm |
auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1107+ | 0.6 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.61 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.44 EUR |
| 158+ | 1.07 EUR |
| 222+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2500+ | 0.4 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 121+ | 1.44 EUR |
| 158+ | 1.09 EUR |
| 222+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2500+ | 0.44 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 118+ | 1.48 EUR |
| 135+ | 1.27 EUR |
| 177+ | 0.95 EUR |
| 200+ | 0.89 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| 2500+ | 0.64 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 91+ | 2.75 EUR |
| 147+ | 1.58 EUR |
| 220+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
Description: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.75 EUR |
| 147+ | 1.58 EUR |
| 220+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| IPD60R1K0PFD7SAUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.71 EUR |
| 100+ | 1.13 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2500+ | 0.65 EUR |
| 5000+ | 0.61 EUR |





