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IPD60R1K5CEAUMA1

IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies

270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 49W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 57500 Stücke:
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2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.38 EUR
17500+0.37 EUR
25000+0.36 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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129+1.34 EUR
188+0.89 EUR
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500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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113+1.54 EUR
170+1.01 EUR
247+0.68 EUR
248+0.67 EUR
500+0.51 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+1.61 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98 Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 59215 Stücke:
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12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
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500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 INFINEON 2354542.pdf Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
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1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R1K5CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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2+2.26 EUR
10+1.62 EUR
100+1.01 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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5000+0.35 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.38 EUR
17500+0.37 EUR
25000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
129+1.34 EUR
188+0.89 EUR
277+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 270308824970070dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileid5546d46249be182.pdf
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auf Bestellung 1500 Stücke:
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188+0.92 EUR
277+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
113+1.54 EUR
170+1.01 EUR
247+0.68 EUR
248+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD60R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7c89cc51e98
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 59215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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IPD60R1K5CEAUMA1 2354542.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
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IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon_IPD60R1K5CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R1K5CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 5352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.26 EUR
10+1.62 EUR
100+1.01 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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