IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 326+ | 0.44 EUR |
| 331+ | 0.42 EUR |
| 336+ | 0.4 EUR |
| 342+ | 0.38 EUR |
| 500+ | 0.36 EUR |
| 1000+ | 0.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IPD60R210PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.32 EUR bis 3.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V |
auf Bestellung 12515 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 64W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| IPD60R210PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Mounting: SMD On-state resistance: 386mΩ Drain current: 10A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain-source voltage: 600V Case: TO252 |
Produkt ist nicht verfügbar |