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IPD60R210PFD7SAUMA1

IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
119+1.20 EUR
200+1.14 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1.00 EUR
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 119
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
2500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD60R210PFD7S_DataSheet_v02_00_EN-1840644.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1613 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.40 EUR
10+1.20 EUR
25+1.19 EUR
100+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
102+1.45 EUR
115+1.24 EUR
119+1.16 EUR
133+1.00 EUR
250+0.96 EUR
500+0.90 EUR
1000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 102
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 13875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+2.97 EUR
10+2.11 EUR
100+1.58 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 64W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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