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IPD60R210PFD7SAUMA1

IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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326+0.54 EUR
331+0.52 EUR
336+0.5 EUR
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Technische Details IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 64W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 64W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.13 EUR
321+0.52 EUR
326+0.5 EUR
331+0.48 EUR
336+0.44 EUR
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500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.44 EUR
200+1.39 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.31 EUR
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.46 EUR
5000+1.37 EUR
7500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r210pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r210pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
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335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
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10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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335+1.95 EUR
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.06 EUR
105+2.05 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
70+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.58 EUR
70+2.48 EUR
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500+1.34 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R210PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.43 EUR
5000+1.38 EUR
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R210PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226717c7674a Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 12373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1 INFINEON 3154684.pdf Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.45 EUR
76+3.06 EUR
105+2.05 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
155+1.13 EUR
321+0.52 EUR
326+0.5 EUR
331+0.48 EUR
336+0.44 EUR
342+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.44 EUR
200+1.39 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.31 EUR
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.46 EUR
5000+1.37 EUR
7500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+1.95 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.56 EUR
10000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
335+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 64W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.171ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.06 EUR
105+2.05 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.58 EUR
70+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+3.58 EUR
70+2.48 EUR
100+1.7 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.63 EUR
10+2.98 EUR
100+2.03 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.51 EUR
2500+1.43 EUR
5000+1.38 EUR
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IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V
auf Bestellung 12373 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.19 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD60R210PFD7SAUMA1 3154684.pdf
IPD60R210PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R210PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 64W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
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