IPD60R280P7S Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 2.02 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| 250+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
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Technische Details IPD60R280P7S Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Power dissipation: 53W, Gate charge: 18nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 8A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TO252-3.
Weitere Produktangebote IPD60R280P7S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IPD60R280P7S | Infineon Technologies |
 MOSFETs CONSUMER |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IPD60R280P7S | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Power dissipation: 53W Gate charge: 18nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 |
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| IPD60R280P7S |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
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| IPD60R280P7S |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 53W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
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