IPD60R280P7S Infineon Technologies
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|---|---|
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| 500+ | 1.51 EUR |
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Technische Details IPD60R280P7S Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 8A, Power dissipation: 53W, Case: PG-TO252-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IPD60R280P7S | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFETs CONSUMER |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD60R280P7S | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 53W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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