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IPD60R280PFD7SAUMA1

IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 51W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 51W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
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81+2.17 EUR
119+1.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r280pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
119+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.08 EUR
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r280pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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79+2.21 EUR
85+2.03 EUR
112+1.5 EUR
200+1.38 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.2 EUR
2000+1.17 EUR
5000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
125+1.73 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R280PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e22702a14674d Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
auf Bestellung 1414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R280PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.8 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
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IPD60R280PFD7SAUMA1 IPD60R280PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
85+2.74 EUR
125+1.73 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.17 EUR
119+1.4 EUR
500+1.07 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.17 EUR
119+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.08 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
79+2.21 EUR
85+2.03 EUR
112+1.5 EUR
200+1.38 EUR
500+1.29 EUR
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2000+1.17 EUR
5000+1.05 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 51W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
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125+1.73 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V
auf Bestellung 1414 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.65 EUR
100+1.8 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 131 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.8 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.23 EUR
5000+1.17 EUR
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IPD60R280PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2261 Stücke:
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56+4.47 EUR
85+2.74 EUR
125+1.73 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.04 EUR
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