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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies


infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
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378+0.46 EUR
380+0.45 EUR
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Technische Details IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 20W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.

Weitere Produktangebote IPD60R2K0PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r2k0pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 619 Stücke:
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5+0.76 EUR
10+0.67 EUR
100+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
200+0.86 EUR
282+0.6 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
200+0.84 EUR
282+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747 Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.67 EUR
100+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.29 EUR
200+0.86 EUR
282+0.6 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.29 EUR
200+0.84 EUR
282+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R2K0PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e226704e76747
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 infineonipd60r2k0pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH