Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R2K1CEAUMA1
IPD60R2K1CEAUMA1

IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 38W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm.

Weitere Produktangebote IPD60R2K1CEAUMA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.92 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 213800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1757+0.37 EUR
10000+0.32 EUR
100000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
30000+0.35 EUR
45000+0.31 EUR
60000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 INFINEON 2255686.pdf Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R2K1CE_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 213800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1757+0.37 EUR
10000+0.32 EUR
100000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.38 EUR
30000+0.35 EUR
45000+0.31 EUR
60000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 270332841243439infineon-ipd60r2k1ce-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46249be182c0149c7.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 2255686.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 2255686.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon_IPD60R2K1CE_DS_v02_02_EN.pdf
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+1.92 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon-IPD60R2K1CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7e404601eaa
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH