IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD60R2K1CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD60R2K1CEAUMA1 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.14 EUR
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V |
auf Bestellung 9956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 1.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 646 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon |
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IPD60R2K1CEAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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