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IPD60R360P7ATMA1

IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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173+1.01 EUR
176+0.98 EUR
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Technische Details IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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552+1.17 EUR
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
122+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 12029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
88+1.95 EUR
125+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12029 Stücke:
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60+2.94 EUR
88+1.92 EUR
125+1.3 EUR
500+1 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9 Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 8516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 IPD60R360P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
82+2.86 EUR
122+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.02 EUR
173+0.98 EUR
176+0.92 EUR
179+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
497+1.31 EUR
552+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.86 EUR
122+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+2.94 EUR
88+1.95 EUR
125+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 infineon-ipd60r360p7-datasheet-v02_07-en.pdf
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
60+2.94 EUR
88+1.92 EUR
125+1.3 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1 Infineon-IPD60R360P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a5bdc6a473cb9
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 8516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IPD60R360P7ATMA1 INFN-S-A0002943028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360P7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+4.8 EUR
82+2.86 EUR
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