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IPD60R360PFD7SAUMA1

IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1762 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
449+0.39 EUR
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Technische Details IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 43W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm.

Weitere Produktangebote IPD60R360PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.29 EUR bis 4.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 1762 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
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200+0.86 EUR
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r360pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2173 Stücke:
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1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
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100+2.64 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e227958cc6750 Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 1008 Stücke:
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7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
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500+1.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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1+3.67 EUR
10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.9 EUR
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IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
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57+4.45 EUR
88+2.64 EUR
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IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
257+0.68 EUR
442+0.38 EUR
449+0.36 EUR
456+0.35 EUR
463+0.32 EUR
471+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+0.88 EUR
200+0.86 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
616+1.06 EUR
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Mindestbestellmenge: 616 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.64 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.67 EUR
10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+4.45 EUR
88+2.64 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH