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IPD60R380C6ATMA1

IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

infineonipi60r380c6datasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
382+0.45 EUR
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Technische Details IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 1890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.09 EUR
376+0.45 EUR
382+0.43 EUR
388+0.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipi60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 13880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.32 EUR
5000+1.24 EUR
7500+1.19 EUR
12500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r380c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2413 Stücke:
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361+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipa60r380c6-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R380C6_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
auf Bestellung 2658 Stücke:
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1+4.27 EUR
10+2.92 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R380C6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed661f42d23f2 Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 15679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.52 EUR
10+2.9 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1 IPD60R380C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
76+3.06 EUR
111+1.94 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1890 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
159+1.09 EUR
376+0.45 EUR
382+0.43 EUR
388+0.4 EUR
395+0.38 EUR
401+0.36 EUR
500+0.33 EUR
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auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.24 EUR
5000+1.14 EUR
7500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.24 EUR
5000+1.15 EUR
7500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 13880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.32 EUR
5000+1.24 EUR
7500+1.19 EUR
12500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD60R380C6ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2413 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
361+1.81 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 361 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
auf Bestellung 2658 Stücke:
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1+4.27 EUR
10+2.92 EUR
100+1.96 EUR
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Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
auf Bestellung 2353 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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