IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD60R380P6ATMA1 nach Preis ab 0.53 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 |
auf Bestellung 4823 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V |
auf Bestellung 7122 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10.6A; 83W; DPAK; SMT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Electrical mounting: SMT Gate charge: 19nC On-state resistance: 0.38Ω Drain current: 10.6A Power dissipation: 83W Gate-source voltage: 20V Technology: MOSFET Drain-source voltage: 600V Case: DPAK |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R380P6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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