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IPD60R400CEAUMA1

IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies


119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R400CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 112W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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95+1.50 EUR
157+0.88 EUR
200+0.79 EUR
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2000+0.60 EUR
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD60R400CE_DS_v02_02_EN-1731758.pdf MOSFETs CONSUMER
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Anzahl Preis
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10+1.69 EUR
100+1.15 EUR
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1000+0.86 EUR
2500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R400CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c83667001f0c Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
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10+1.76 EUR
100+1.20 EUR
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002362965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 112W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
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IPD60R400CEAUMA1 IPD60R400CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies 119755049312401dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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