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IPD60R460CEAUMA1

IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies


26609658260563dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileid5546d46249be182.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD60R460CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IPD60R460CEAUMA1 IPD60R460CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD60R460CE_DS_v02_02_EN-3164611.pdf MOSFET CONSUMER
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IPD60R460CEAUMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPD60R460CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c8366df61f0e Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R460CEAUMA1 - IPD60R460 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IPD60R460CEAUMA1 IPD60R460CEAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD60R460CE-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c8366df61f0e Description: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
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