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IPD60R600CM8XTMA1

IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d0f53010476
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+0.74 EUR
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Technische Details IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies

Description: IPD60R600CM8XTMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-313, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.62 EUR
127+1.33 EUR
142+1.18 EUR
250+1.06 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600cm8-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
107+1.56 EUR
127+1.26 EUR
142+1.08 EUR
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500+0.86 EUR
1000+0.73 EUR
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IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600CM8-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8d0f53010476 Description: IPD60R600CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
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IPD60R600CM8XTMA1 IPD60R600CM8XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600CM8_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
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5000+0.67 EUR
10000+0.64 EUR
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
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Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
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