Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD60R600PFD7SAUMA1
IPD60R600PFD7SAUMA1

IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 31W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm.

Weitere Produktangebote IPD60R600PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.62 EUR bis 3.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
819+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
819+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.18 EUR
168+1.02 EUR
207+0.81 EUR
217+0.76 EUR
500+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.49 EUR
178+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.49 EUR
178+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9 Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON 3049665.pdf Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1 INFINEON 3049665.pdf Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
833+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
819+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
819+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineon-ipd60r600pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.18 EUR
168+1.02 EUR
207+0.81 EUR
217+0.76 EUR
500+0.69 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+1.49 EUR
178+0.94 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 infineonipd60r600pfd7sdatasheetv0200en.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+1.49 EUR
178+0.96 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R600PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed61c45f839e9
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+2.81 EUR
12+1.77 EUR
100+1.18 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon_IPD60R600PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 3792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.01 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.88 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 3049665.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
82+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R600PFD7SAUMA1 3049665.pdf
IPD60R600PFD7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.07 EUR
130+1.8 EUR
196+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH