IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPD60R600PFD7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPD60R600PFD7SAUMA1 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.32 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
BTH2-23-12-1-B |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A On-state resistance: 1.219Ω Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 14A Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A On-state resistance: 1.219Ω |
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