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IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE)

Produktcode: 201269
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
925+0.59 EUR
1003+0.54 EUR
10000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 925 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1728 Stücke:
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925+0.59 EUR
1003+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 925 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
auf Bestellung 1511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.6 EUR
33+0.55 EUR
100+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 20.5nC
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R650CE_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2578 Stücke:
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2+1.47 EUR
10+1.16 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
925+0.59 EUR
1003+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 925 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPreis
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Mindestbestellmenge: 925 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 676913101797449infineon-ipd60r650ce-ds-v02_02-en.pdffileid5546d46249be182c0149c8.pdf
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
auf Bestellung 1511 Stücke:
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33+0.55 EUR
100+0.54 EUR
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IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 82W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19A
Gate charge: 20.5nC
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
81+0.89 EUR
90+0.8 EUR
101+0.71 EUR
102+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 Infineon_IPD60R650CE_DS_v02_03_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.47 EUR
10+1.16 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R650CEAUMA1 INFN-S-A0002364744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
auf Bestellung 3480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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