Technische Details IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies
Description: CONSUMER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-344, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote IPD60R800CEAUMA1 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R800CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.4A Power dissipation: 74W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.2nC |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 472500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
auf Bestellung 6862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.45 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| 7500+ | 0.46 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| 7500+ | 0.45 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.51 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1096+ | 0.6 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1096+ | 0.6 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.61 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 472500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.24 EUR |
| IPD60R800CEAUMA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 6862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.45 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.77 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2500+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |




