Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IPD60R950C6ATMA1

IPD60R950C6ATMA1

Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
Produktcode: 133580
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IPD60R950C6ATMA1 nach Preis ab 0.2 EUR bis 3.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
630+0.27 EUR
640+0.26 EUR
650+0.25 EUR
661+0.24 EUR
671+0.23 EUR
683+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.27 EUR
661+0.26 EUR
671+0.25 EUR
683+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipb60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.67 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
12500+0.62 EUR
17500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
7500+0.64 EUR
12500+0.6 EUR
17500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineonipp60r950c6datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
113+2.06 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD60R950C6_DataSheet_v02_05_EN.pdf MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
630+0.27 EUR
640+0.26 EUR
650+0.25 EUR
661+0.24 EUR
671+0.23 EUR
683+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 630 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
650+0.27 EUR
661+0.26 EUR
671+0.25 EUR
683+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipb60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.67 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.71 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
12500+0.62 EUR
17500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.74 EUR
5000+0.68 EUR
7500+0.64 EUR
12500+0.6 EUR
17500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 19000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
10000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineonipp60r950c6datasheeten.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 infineon-ipb60r950c6-datasheet-v02_05-en.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+3.47 EUR
113+2.06 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 INFN-S-A0010753436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.47 EUR
113+2.06 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R950C6ATMA1 Infineon_IPD60R950C6_DataSheet_v02_05_EN.pdf
IPD60R950C6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
auf Bestellung 1489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.53 EUR
10+2.24 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
5000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH