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IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
174+1 EUR
177+0.98 EUR
180+0.94 EUR
250+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 174 Stücke
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Technische Details IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IPD65R190C7ATMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 6.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.02 EUR
174+0.96 EUR
177+0.92 EUR
180+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.98 EUR
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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auf Bestellung 652600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
10000+2.13 EUR
100000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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auf Bestellung 820 Stücke:
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215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
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auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
10000+2.13 EUR
100000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.5 EUR
47+3.64 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.5 EUR
47+3.72 EUR
100+2.52 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
66+3.55 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.41 EUR
10+4.19 EUR
100+2.93 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.12 EUR
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IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 4208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.89 EUR
10+4.49 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
171+1.02 EUR
174+0.96 EUR
177+0.92 EUR
180+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 652600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
10000+2.13 EUR
100000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
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Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+3.05 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.43 EUR
10000+2.13 EUR
100000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
215+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.5 EUR
47+3.64 EUR
100+2.43 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.5 EUR
47+3.72 EUR
100+2.52 EUR
500+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
66+3.55 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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MOSFETs HIGH POWER_NEW
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10+4.19 EUR
100+2.93 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.31 EUR
2500+2.12 EUR
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IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 4208 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+4.49 EUR
100+3.13 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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