Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD65R190C7ATMA1
IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 72W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.

Weitere Produktangebote IPD65R190C7ATMA1 nach Preis ab 1.8 EUR bis 7.72 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.33 EUR
75+2.27 EUR
76+2.19 EUR
100+2.11 EUR
250+2.03 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 652600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.31 EUR
100000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.31 EUR
100000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.43 EUR
47+3.68 EUR
55+3.05 EUR
100+2.43 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.47 EUR
46+3.63 EUR
55+2.95 EUR
100+2.32 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.44 EUR
41+4.05 EUR
54+3 EUR
100+2.62 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.42 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.87 EUR
10+4.47 EUR
50+3.45 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 IPD65R190C7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.72 EUR
50+4.69 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+2.33 EUR
75+2.27 EUR
76+2.19 EUR
100+2.11 EUR
250+2.03 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 652600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.31 EUR
100000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.65 EUR
10000+2.31 EUR
100000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+3.31 EUR
500+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.43 EUR
47+3.68 EUR
55+3.05 EUR
100+2.43 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.47 EUR
46+3.63 EUR
55+2.95 EUR
100+2.32 EUR
500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 infineon-ipd65r190c7-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+6.44 EUR
41+4.05 EUR
54+3 EUR
100+2.62 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 Infineon_IPD65R190C7_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.56 EUR
10+3.42 EUR
100+3.03 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V
auf Bestellung 4198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.87 EUR
10+4.47 EUR
50+3.45 EUR
100+3.12 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD65R190C7ATMA1 INFN-S-A0010754031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD65R190C7ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.72 EUR
50+4.69 EUR
100+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH