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IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Technische Details IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IPD65R380E6ATMA1 nach Preis ab 1.23 EUR bis 6.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON INFNS27844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 83W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2296 Stücke:
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500+2.74 EUR
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R380E6-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433efacd9a013f09622c742fd5 Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R380E6_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 194 Stücke:
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10+3.08 EUR
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2500+1.4 EUR
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IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 INFINEON INFNS27844-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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52+4.47 EUR
100+3.32 EUR
500+2.74 EUR
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IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
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MOSFETs LOW POWER_LEGACY
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1000+1.56 EUR
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IPD65R380E6ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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52+4.47 EUR
100+3.32 EUR
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