IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
auf Bestellung 2425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.58 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 1.19 EUR |
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Technische Details IPD65R380E6ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS E6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPD65R380E6ATMA1 nach Preis ab 1.18 EUR bis 3.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_LEGACY |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 115-119 Tag (e) |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 83W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2296 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2425 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain current: 10.6A Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD65R380E6ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3 Mounting: SMD Case: PG-TO252-3 Drain current: 10.6A Drain-source voltage: 650V Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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