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IPD65R650CEAUMA1

IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d7220d45a1844
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
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Technische Details IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 86W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

Weitere Produktangebote IPD65R650CEAUMA1 nach Preis ab 0.55 EUR bis 2.2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD65R650CE_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
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IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON 2354546.pdf Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 2582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD65R650CEAUMA1 IPD65R650CEAUMA1 INFINEON 2354546.pdf Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Produktpalette: CoolMOS CE
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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