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IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IPD70N03S4L04ATMA1 nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N03S4L_04_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 174 Stücke:
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.53 EUR
10+1.62 EUR
100+1.08 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 68W
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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