Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPD70N12S311ATMA1
IPD70N12S311ATMA1

IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS T, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPD70N12S311ATMA1 nach Preis ab 1.5 EUR bis 5.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.98 EUR
100+1.87 EUR
250+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
250+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.68 EUR
70+2.46 EUR
100+1.86 EUR
200+1.74 EUR
500+1.58 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 INFINEON Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
69+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
5000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6 Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 IPD70N12S311ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
auf Bestellung 14440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6363 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1730 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
339+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+1.98 EUR
100+1.87 EUR
250+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 INFN-S-A0003258002-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 8906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.51 EUR
250+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
5000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 infineon-ipd70n12s3-11-datasheet-v01_01-en.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.68 EUR
70+2.46 EUR
100+1.86 EUR
200+1.74 EUR
500+1.58 EUR
2000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6906 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+4.9 EUR
69+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.76 EUR
5000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 Infineon-IPD70N12S3-11-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015c59bb04e36ce6
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3531 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+5.13 EUR
10+3.32 EUR
100+2.28 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD70N12S311ATMA1 Infineon_IPD70N12S3_11_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IPD70N12S311ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(120V,300V)
auf Bestellung 14440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.43 EUR
10+3.19 EUR
100+2.32 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH