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IPD70R1K4P7SAUMA1

IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
621+0.29 EUR
661+0.26 EUR
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Technische Details IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 1005 Stücke:
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579+0.3 EUR
615+0.27 EUR
621+0.26 EUR
661+0.24 EUR
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685+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
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auf Bestellung 20000 Stücke:
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5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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2500+0.35 EUR
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2500+0.36 EUR
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r1k4p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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1565+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1565 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70R1K4P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 18283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.8 EUR
100+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.17 EUR
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500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
120+1.94 EUR
193+1.11 EUR
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1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf8a07650db5 Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
120+1.94 EUR
193+1.11 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
579+0.3 EUR
615+0.27 EUR
621+0.26 EUR
661+0.24 EUR
668+0.23 EUR
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Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1565+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1565 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.46 EUR
5000+0.43 EUR
7500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 18283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+1.07 EUR
10+0.8 EUR
100+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.88 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3875 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
120+1.94 EUR
193+1.11 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IPD70R1K4P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
120+1.94 EUR
193+1.11 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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