IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.7W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm.
Weitere Produktangebote IPD70R1K4P7SAUMA1 nach Preis ab 0.24 EUR bis 1.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
auf Bestellung 14129 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V |
auf Bestellung 15436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
auf Bestellung 2473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 2.5A Power dissipation: 22.7W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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