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IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
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Technische Details IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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224+0.77 EUR
231+0.74 EUR
267+0.62 EUR
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.89 EUR
224+0.74 EUR
231+0.69 EUR
267+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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90+1.92 EUR
141+1.21 EUR
194+0.86 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
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8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IPD70R360P7SAUMA1 infineonipd70r360p7sdatasheetv0202en.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 324 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
192+0.89 EUR
224+0.74 EUR
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IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD70R360P7SAUMA1 Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c
IPD70R360P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
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8+2.78 EUR
12+1.76 EUR
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100+1.17 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 700V; 10V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C; IPD70R360P7S TIPD70r360p7s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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