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IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
256+0.58 EUR
258+0.55 EUR
292+0.47 EUR
295+0.45 EUR
500+0.40 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 256
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
249+0.59 EUR
256+0.56 EUR
258+0.53 EUR
292+0.45 EUR
295+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 249
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2500+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
81+0.88 EUR
93+0.78 EUR
107+0.67 EUR
114+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPD70R360P7S_DataSheet_v02_02_EN-3362786.pdf MOSFETs CONSUMER
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.15 EUR
10+1.08 EUR
100+0.79 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPD70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf6fb1440d5c Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 59.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
auf Bestellung 97659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.18 EUR
16+1.10 EUR
100+0.81 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002815973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD70R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ipd70r360p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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