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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.33 EUR
525+0.32 EUR
534+0.31 EUR
543+0.3 EUR
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1090 Stücke:
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501+0.35 EUR
509+0.33 EUR
517+0.31 EUR
525+0.3 EUR
534+0.29 EUR
543+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
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2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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1156+0.56 EUR
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
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Mindestbestellmenge: 303 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPD70R600P7S_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 6425 Stücke:
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5+0.77 EUR
10+0.67 EUR
100+0.55 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 7375 Stücke:
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+2.65 EUR
184+1.26 EUR
227+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79 Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
184+1.26 EUR
227+0.95 EUR
500+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
517+0.33 EUR
525+0.32 EUR
534+0.31 EUR
543+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
501+0.35 EUR
509+0.33 EUR
517+0.31 EUR
525+0.3 EUR
534+0.29 EUR
543+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 501 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
5000+0.39 EUR
7500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1 infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
7500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1156+0.56 EUR
10000+0.5 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
303+0.57 EUR
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IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
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5+0.77 EUR
10+0.67 EUR
100+0.55 EUR
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2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
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IPD70R600P7SAUMA1 Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79
IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2175 Stücke:
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95+2.65 EUR
184+1.26 EUR
227+0.95 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IPD70R600P7SAUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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