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IPD70R600P7SAUMA1

Name: IPD70R600P7SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2503914-5
Price: 144.76 EUR
Availability: InStock

Infineon-IPD70R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf7799fb0d79

Produktcode: 143681

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

infineon-ipd70r600p7s-datasheet-v02_02-en.pdf

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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IPD70R600P7SAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IPD70R600P7SAUMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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184+	1.26 EUR
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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

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1000+	0.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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IPD70R600P7SAUMA1

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IPD70R600P7SAUMA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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IPD70R600P7SAUMA1

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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1000+	0.75 EUR

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IPD70R600P7SAUMA1

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER

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1000+	0.76 EUR
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